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QNED技術完成度分析レポート

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2021年 6月 22日

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レポートご紹介

サムスンディスプレイが次世代ディスプレイとして準備中であるQNED(quantum dot nano-rod LED)の実体が明らかになった。
サムスンディスプレイが出願した特許160件を分析した結果、QNEDを構成する構造は既に完成しており、光を出す画素内のnano-rod LED整列数を一定に維持することだけが残っている課題であることが確認された。
QNEDの収率と品質特性を決定する画素ごとに整列されたnano-rod LED数は、インク内のLED分布と画素に噴射されたLEDの数、噴射されたLEDの整列割合に応じて決定される。
ピクセルごとのnano-rod LED数分布が異なる場合、画素ごとに印加される電圧に変化が生じるため、不良が発生することになる。
サムスンディスプレイは画素ごとにnano-rod LEDの数を一定にするための方法とnano-rod LEDの数が異なる場合も、輝度を均一にすることができるアルゴリズムを既に開発したことが確認された。
今回発刊された「QNED技術の完成度分析」報告書では、94件の特許の分析を介して発行された以前の報告書の内容と、新たに追加された66件の特許として作成され、サムスンディスプレイのQNED技術完成度がどのレベルに達したかどうかがわかるように細かく分析して収録した。
今回の報告書では、これまで公開しなかったQNED特許番号と分類表、定量分析データをエクセルとして提供する。

目次

1.概要

2.QNED特許分析の結果
2.1 構造別分類
2.2 目的別分類

3.QNEDは何?
3.1 Nano-rod LEDの基本構造
3.2 QNED構造
3.3 QNED発光原理
3.4 Nano-rod LED整列原理
3.5 マザーガラス構成

4.Nano-rod LED製造工程

5.Nano-rod LEDインク
5.1 Nano-rod LED溶媒
5.2 分散剤
5.3 光分解性官能基

6.QNED製造工程
6.1 TFT製造工程
6.2 Pixel構造と製造工程
6.3 QD-CF構造と製造工程
6.4 Panel構造とAssembly工程

7.Bankと隔壁構造
7.1 Bank構造と役割
7.2 Color Bank
7.3 隔壁の構造と機能

8.絶縁層と絶縁パターンの構造
8.1 絶縁層の種類と役割
8.2 整列機能絶縁層の形
8.3 絶縁性支持体
8.4 絶縁パターンの厚さ
8.5 絶縁パターンの製造方法

9.電極の種類と構造
9.1 電極の種類
9.2 画素電極
9.3 整列電極
9.4 Contact電極
9.5 Floating電極
9.6 反射電極

10.回路構造
10.1 QNED用回路
10.2 2T1C構造
10.3 7T1C構造
10.4 3T1C構造
10.5 配線回路

11.駆動技術
11.1 低階調駆動法
11.2 Gamma Correction
11.3 消費電力の改善と輝度Uniformity
11.4 発光効率の改善

12.Nano-rod LED整列技術
12.1 Nano-rod LED整列要素
12.2 Nano-rod LEDインクと整列過程
12.3 Nano-rod LED整列波形
12.4 Nano-rod LED整列回路
12.5 Nano-rod LED整列回路工程
12.6 Nano-rod LED整列回路と素子構造

13.Nano-rod LED整列向上技術
13.1 円形の非対称電極整列構造
13.2 シールド電極
13.3 Floating電極
13.4 突出電極
13.5 効率的な電極配置構造
13.6 異なる電極幅
13.7 整列配線連結
13.8 整列機能絶縁層
13.9 外部磁界による整列
13.10 表面エネルギーを利用した整列

14.Nano-rod LED整列用駆動技術
14.1 整列用駆動技術
14.2 整列状態確認用センシングトランジスタ
14.3 センシング配線

15.Nano-rod LEDの特性向上
15.1 出光効率改善
15.2 Nano-rod LED 配向基
15.3 Nano-rod LED 結合基
15.4 突出パターンNano-rod LED
15.5 円錐Nano-rod LED
15.6 非対称Nano-rod LED
15.7 波長変換材料のコーティング
15.8 Nano-rod LEDの損傷防止
15.9 ショート防止

16.光特性向上技術
16.1 出光効率
16.2 入光効率
16.3 輝度均一性
16.4 視認性
16.5 視野角
16.6 色再現性
16.7 高解像度

17.Defect解決技術
17.1 ショート欠陥防止
17.2 リペアトランジスタ
17.3 レーザーリペア
17.4 リペア用導電パターン
17.5 リペア用接続パターン
17.6 整列度検査とリワーク

18.インクジェット装置
18.1 インクジェット装置の構成
18.2 インクジェットプリンタユニット
18.3 センシングユニット
18.4 電界印加モジュール
18.5 電界生成ユニット
18.6 RGB QNED用装置
18.7 配向用インクジェット装置

19.7T2C TFT構造とプロセス
19.1 7T2C TFTとpixel回路構造
19.2 7T2C TFTとpixel平面構造
19.3 7T2C TFTとpixel断面構造
19.4 7T2C TFTとpixelの製造工程

20.その他の技術
20.1 RGB QNED
20.2 スリムなQNED
20.3 ブリッジパターン
20.4 コンタクト不良最小限
20.5 Nano-rod垂直配列方法
20.6 Quantum Rod配列
20.7 Rubbing技術
20.8 Touch Sensor内蔵QNED

21.まとめ
21.1 QNED成功要因
21.2 技術完成度
21.3 不良の原因と解決策

レポートサンプル

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